IRFH5210TRPBF
Rakendused
1. Secondary Side sünkroonne alaldus
2. Alalisvoolumootorite inverterid
3.DC-DC telliskivirakendused
4. Boost muundurid
Funktsioonid
1. Madal RDSon (≤ 14,9 mΩ Vgs = 10 V juures)
2. Madal termiline vastupidavus PCB-le (≤ 1,2 °C/W)
3,100% Rg testitud
4. Madal profiil (≤ 0,9 mm)
5. Tööstusharu standardne pinout
6. Ühildub olemasolevate pindpaigaldustehnikatega
7. RoHS-iga ühilduv, ei sisalda pliid, bromiidi ega halogeene
8.MSL1, Tööstuslik kvalifikatsioon
Kasu
1.Madalamad juhtivuskadud
2. Võimaldab paremat soojuse hajumist
3. Suurenenud töökindlus
4. Suurenenud võimsustihedus
5. Mitme tarnija ühilduvus
6. Lihtsam tootmine
7.Keskkonnasõbralikum
8. Suurenenud töökindlus
Tootja osanumber: IRFH9310TRPBF
Tootja / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Osa kirjeldusest: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Pliivaba olek / RoHS-i olek: pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Laoseis: Uus originaal, 12000 tk laos.
Saatmine: Hongkong
Saatmisviis: DHL/Fedex/TNT/UPS
Toote atribuudi atribuudi väärtus Valige atribuut
Osanumber IRFH9310TRPBF
Tootja/Brändi rahvusvaheline alaldi (Infineon Technologies)
Laoseis 12000 tk Laos
Kategooria Diskreetsed pooljuhttooted > Transistorid – FET-id, MOSFET-id – üksikud
Kirjeldus MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Pliivaba olek / RoHS-i olek: pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Laius – sees -55°C ~ 150°C (TJ)
Pinge/vool – väljund 1 PQFN (5x6)
Tolerants 5250pF @ 15V
Saba tüüp P-kanal
Astmenurk MOSFET (metallioksiid)
Kahanemistemperatuuri Infineon Technologies
SFP/XFP tüüp ±20V
Kaugjuhtimisvõimalus HEXFET®
Samm – kaabli pinnale kinnitus
Muud nimed Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Muud nimed 1
Ostsillaatori tüüp 8-PowerVDFN
DAC-ide arv 30V
Minimaalne vedeliku erikaal –
Paaritussuund 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Tootja osanumber IRFH9310TRPBFDKR-ND
Pikkus - Tünn Digi-Reel®
Lambi värv 4,5V, 10V
Kõrge külgpinge – max (bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funktsioon 58nC @ 4,5V
Mähise võimsus aktiivne
Kanali mahtuvus (CS (väljas), CD (väljas)) 3,1 W (Ta)
Kaardilugeja tüüp 2,4 V @ 100 µA
Omadused ja eelised
Omadused sellest tulenevad eelised
Madal RDSon (≤ 4,6 mΩ) Väiksemad voolukadud
Tööstusstandardi PQFN paketi mitme tarnija ühilduvus
RoHS-iga ühilduv, ei sisalda pliid, bromiidi ega halogeene Keskkonnasõbralikum
tulemused sisse
Märge
Vormi kogus
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm lint ja rull 4000
Tellitav osa number Pakendi tüüp Standardpakend
VDS -30 V
RDS(sees) max
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (tüüpiline) 110 nC
RG (tüüpiline) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Absoluutsed maksimumhinnangud
Parameetri ühikud
VDS äravoolu-allika pinge
VGS värava-allika pinge
ID @ TA = 25°C Pidev äravooluvool, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Pidev äravooluvool, VGS @ -10V
ID @ TC = 25 °C pidev tühjendusvool, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70 °C pidev tühjendusvool, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25 °C pidev tühjendusvool, VGS @ -10 V (piiratud pakett)
IDM impulss äravooluvool
PD @TA = 25°C võimsuse hajumine
PD @ TA = 70°C võimsuse hajumine
Lineaarne alandustegur W/°C
TJ Operating Junction ja
TSTG säilitustemperatuuri vahemik
Korduv hinnang;impulsi laius piiratud max.ristmiku temperatuur.
Algus TJ = 25°C, L = 1,1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
impulsi laius ≤ 400 µs;töötsükkel ≤ 2%.
Kui see on paigaldatud 1-tollisele ruudukujulisele vaskplaadile.
Rθ mõõdetakse TJ juures ligikaudu 90 °C.
AINULT DISAINABI jaoks, ei kuulu tootmiskatsetele.
